半导体分立器件静态参数测试仪系统STD2000

陕西天士立科技有限公司

专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

半导体分立器件静态参数测试仪系统STD2000

基础信息

测试分析：功率器件研发设计阶段的初始测试

失效分析：失效器件测试，失效机理，设计方案改善

选型配对：器件焊接PCB之前测试，按器件一致性分类配对

来料检验：质量部对入厂器件进行抽检/全检，把控良品率

量产测试：连接机械手、扫码枪、分选机等进行量产测试

半导体分立器件静态参数测试仪系统STD2000

产品特点

三代半：优秀的性能应对第三代半导体及传统器件，Si,sic,GaN器件

测试品类：覆盖25类常见的电子元器件及IC类，且支持定制扩展

功能丰富：轻松表征元器件“静态特性”“IV曲线”“Cxss”“CV”

分析筛选：功能全面，配置丰富，胜任实验室场景中各类电参数表征

量产测试：1h高达7K~12K的测试效率，可连接“分选机”“编带 机”Prober接口、16Bin。

一键加热：一键脉冲自动加热至+130°C，耗时<1s;

高压源：1400V(选配2KV)

高流源：40A(选配100A,200A,500A)

驱动电压：20V/10uA~100mA(选配+40V/10uA~100mA)

漏电测量：1nA漏电持续稳定测量，表现出优秀的一致性和稳定性，更有1.5pA微电流测量选件可供选择。

高精度：16位ADC/DAC，0.1%精度，1M/S采样速率.

程控软件：基于LabVIEW平台开发的填充式菜单软件界面:

夹具工装：适配各类封装形式的器件，自动识别器件极性NPN/PNP.

校准：系统自带校准软件，也可通过RS232接口连接数字表进行校验

半导体分立器件静态参数测试仪系统STD2000

测试品类

01.Diode/二极管（稳压、瞬态、三端肖特基、TVS、整流桥、三相整流桥）

02.BJT/三极管

03.Mosfet&JFET/场效应管

04.SCR/可控硅（单向/双向）

05.IGBT/绝缘栅双极大功率晶体管

06.OC/光耦

07.Relay/继电器

08.Darlingtontube/达林顿阵列

09.Currentsensor/电流传感器

10.基准IC(TL431)

11.电压复位IC

12.稳压器（三端/四端）

13.三端开关功率驱动器

14.七端半桥驱动器

15.高边功率开关

16.电压保护器（单组/双组）

17.开关稳压集成器

18.压敏电阻

19.电压监控器

半导体分立器件静态参数测试仪系统STD2000

测试参数

漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

击穿参数：BVCEOBVCES(300μSPulseabove10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO

导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)

关断参数：VGSOFF

触发参数：IGT、VGT

保持参数：IH、IH+、IH-

锁定参数：IL、IL+、IL-

增益参数：hFE、CTR、gFS

间接参数：IL

混合参数：RDSON、gFS、Input@Output/Regulation

半导体分立器件静态参数测试仪系统STD2000

性能指标

半导体分立器件静态参数测试仪系统STD2000

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