参数
(1)可判别锗、硅材料的电阻率范围:
锗:非本征锗~10-4Ω·cm ,硅:103~10-4Ω·cm
实验证明:在室温情况下,对于电阻率低于1000Ω·cm的N型和P型硅,本方法结果可靠。
(2)热电流测量范围:0~±1μA 分六个量程:
±3nA、±10nA、±30nA、±100nA、±300nA、±1μA
大偏转灵敏度:1×10-11A/格
(3)锗、硅单晶直径及长度:不受限制。
(4)显示方式:中刻度为零位的宽表面指指示器,指向正方向偏转被测样品为P型,指向负方向偏转被测样品为N型。
(5)探:选用SEMI MF42-1105标准中建议的不锈钢作探材料,尖为60°锥体,热笔温度自动保持在40-60℃范围内,冷笔与室温相同。
(6)电源及功耗:AC 220V±10%,50HZ交流供电,耗电小于10W。
(7)外型尺寸:170×160×230(mm)
(8)重量:约2.5kg

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