两探针电阻率测试仪型号:CN60M-FT-300TZ库号:M291339
参照标准:
GB/T1551-2009硅单晶电阻率测定方法-方法2直流两探针法;
SEMIMF397-1106<<硅棒电阻率测定两探针法>>
参数资料
1.电阻率:10^-7~2×10^7Ω-cm
2.电阻:10^-7~2×10^7Ω
3.电导率:5×10^-7~10^7s/cm
4.分辨率:0.1μΩ 测量±(0.05%读数±5字)
5.测量电压量程:2mV20mV200mV2V测量±(0.1%读数)
6.分辨率:0.1uV1uV10uV100uV
7.电流输出:直流电流0~1000mA连续可调,
量程:1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,1000mA,:±0.2%读数±2字
8.显示方式:液晶显示:电阻值、电阻率、电导率值、温度、单位自动换算、横截面、高度、电流、电压等.
9.温度要求:23℃±1℃
10.电源:220±10%50HZ/60HZ
11.测量平台参数如下:
1).可测硅芯、检验棒尺寸:直径4~22㎜(其他规格可定制)
2).探针头探针与试样接触位置重复,无横向移动。
3).两探针测试探针。探头间距1.59mm(其他规格可定制);探针机械游率:±0.3%。
4).探针直径0.8㎜;探针压力总6-12N,探针材料:钨针,
5).探针间及探针与其他部分之间的缘电阻大于109欧
12.标配外选购项:a.pc软件1套;b.标准电阻1件;c.电脑和打印机

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