产品特性 : |
快速开关 |
品牌 : |
ERIS |
型号 : |
P5MND6P5 |
封装 : |
PPAK5X6 |
批号 : |
2023+ |
FET类型 : |
参考规格书 |
漏源电压（Vdss） : |
参考规格书 |
漏极电流(Id) : |
参考规格书 |
漏源导通电阻(RDS : |
参考规格书 |
栅源电压(Vgs) : |
参考规格书 |
栅极电荷(Qg) : |
参考规格书 |
反向恢复时间 : |
参考规格书 |
耗散功率 : |
参考规格书 |
配置类型 : |
参考规格书 |
工作温度范围 : |
参考规格书 |
安装类型 : |
参考规格书 |
应用领域 : |
汽车电子、智能家居、家用电器、照明电子 |
数量 : |
27000 |
QQ : |
1186670662 |
资质 : |
代理 |
货源 : |
原厂 |
可售卖地 : |
全国 |
深圳市科瑞芯电子有限公司为ERIS的方案合作商 商品原厂原装
可免费给终端客户提供样品及技术支持
欢迎致电！
型号：P5MND6P5
封装：PPAK5X6
品牌：ERIS
描述
这些n沟道增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先-进的技术专-门用于zui小化导通状态电阻，提供 的开关性能，并承受雪崩和换相模式下的高能脉冲。这些器件非常适合于 快速开关应用。
特性
RDS(ON)≦6.5mΩ@Vgs=10V
快速切换
改进的dv/dt能力
绿色设备
应用
MB / VGA / Vcore
POL应用程序
SMPS 2nd SR
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