扫描式微波光电导载流子复合寿命测试仪WJ-200A型 载流子寿命测量

WJ-200A扫描式微波光电导载流子复合寿命测试仪

1、概述

WJ-200系列扫描式微波光电导载流子复合寿命测试仪是参照半导体设备和材料国际组织SEMI标准MF1535-0707及标准GB/T 26068-2010设计制造。本设备采用微波反射无接触光电导衰退测量方法，更适用于厚度为1mm以下的硅片、电池片少数载流子寿命的测量，提供无接触、无损伤、数字显示的快速测量。寿命测量可灵敏地反映半导体重金属污染及缺陷存在的情况，是半导体质量的重要检测项目。

微波反射光电导衰退法，简称μPCD（Microwave photoconductivity decay）。此方法包括均匀掺杂的抛光N型或P型硅片与载流子复合过程相关的载流子寿命的测量。只要电导率检测系统的灵敏度足够，本测量方法也可应用于测量切割、研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。

2、技术参数：

       寿命测量范围：0.25μs-30ms

       电阻率测量范围：≥0.1-0.5Ω·cm（当ρ＜0.5时，必须要抛光钝化样品）

       可测样品尺寸：厚度≤10mm，直径或边长≤200mm（可做尺寸为直径或边长≤300mm，或根据客户要求定制）

       扫描分辨率（mm）：0.5、1、2、4、8、16等

       寻边方式：微波自动寻边

       微波频率：10GHz

       红外激光波长：905nm（进口光源及驱动器）

       脉冲频率：≈40Hz

       下降时间≤25ns

       脉冲宽度：80-200ns可调

       测量重复性：短期不确定度优于±10%

        快测量速度：约0.6sec/点（含探头移动及及数据采集计算时间）

KSM扫描式载流子寿命测试系统测试界面

测试结果分布图