PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单，与传统CVD系统比较，生长温度更低，管辉光均匀等效，薄膜均匀沉积。
等离子体是由阳离子、中性粒子、自由电子等多种不同性质的粒子所组成的电中性物质，其中阴离子（自由电子）和阳离子分别的电荷量相等，这就是物理学上所谓“等离子”。等离子体内移动中的粒子会产生电磁场，并影响着该物质内每颗带电粒子的运动，这使等离子体拥有一些特殊的性质，而这些性质也定义了何谓等离子体。 PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单，与传统CVD系统比较，生长温度更低，管辉光均匀等效，薄膜均匀沉积。
KT-PE150S 性能参数
型号 | KT-PE150S | KT-PE500Z |
信号频率 | 13.56MHz±0.005% | |
功率输出范围 | 0-150W | 0-500W |
功率稳定度 | ≤5W | |
反射功率 | 40W | |
射频输出接口 | 7/16,female 50 Ω | |
功率稳定度 | ≤5W | |
匹配方式 | 手动调节匹配 | 500W自动匹配 |
耦合方式 | 电感式耦合 | |
辉光压力 | ≤30Pa | |
供电电压 | 50/60Hz 220v±10% | |
整机效率 | ≥70% | |
冷却方式 | 强制风冷 | |
支持炉管直径 | φ25-φ80 | φ25-φ150 |
感应区 | 210mm | |
整机重量 | 48KG | |
整机尺寸:H x W x D(mm) | 600 x 600x 1100 | |
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