一、 概述

向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。

功率器件雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试二极管、SCR、MOSFET雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出二极管、SCR、MOSFET的雪崩耐量。该设备包括：可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试标准适配器、外接测试端口（根据客户需求）等多个部分。

二、 环境要求

l 进线电压： AC220V±10%

l 电压频率： 50Hz±1Hz

l 功率消耗： 2.2kW

l 环境温度： 10～50℃

l 工作湿度： 温度不高于+30℃时，相对湿度5%-80%。

温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%，无冷凝。

l 大气压力： 86Kpa～106Kpa

l 海拔高度：不超过3000米。

l 设备尺寸：800*800*1800mm

l 气源要求：≥0.4Mpa（配备小型静音空气压缩机）

三、 
技术指标

l 漏极电压：20-300V±2%，分辨率0.1V；

l 雪崩能量：1-2000mJ，

1mJ-100mJ±3%±1 mJ

100 mJ -1000 mJ±3%±5 mJ

1000 mJ -2000 mJ±3%±10 mJ

l 雪崩电流：0.01A-200A，

1mA-100mA±3%±1mA

100mA-2A±3%±5V±5mA

2A-200A±3%±10V±50mA

l 栅极电压：±30V±2%，分辨率0.1V

l 雪崩电压：20-2500V,（选配4500V）

20V-100V±3%±1V

100V-1000V±3%±5V

1000V-2500V±3%±10V

l 电感：100uH、500uH、1mH、5mH、10mH、20mH程控电感，电感量可按挡位自由组合；

l 电压波形：方波

l 脉冲宽度：100uS-800mS

l 测试参数：雪崩电压Vce、单脉冲雪崩能量EAS、单脉冲雪崩功率PAS、

l 重复脉冲雪崩能量EAR；

l 重复间隔时间：1-60S，可在软件界面设定，step 1S；

l 重复次数：1-50次；

l 采用计算机控制、采样及示波器显示测试波形；

l 输出方式：分立器件采用开尔文夹具，模块开尔文测试线缆。