1、概述

EN-1230A分立器件动态参数测试系统是由西安易恩电气科技股份有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备，通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试，通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT、MOSFET的测试。测试原理符合国军标，系统集成度高，性能稳定，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。

该套测试设备主要由以下几个单元组成：

Ø  开关特性测试单元

Ø  反向恢复测试单元

Ø  栅极电荷测试单元

Ø  安全工作区测试系统

Ø  结电容测试单元

Ø  栅极内阻测试单元

Ø  雪崩耐量测试单元

2、技术条件

2.1、功能范围

可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、雪崩耐量进行测试。

2.2、环境要求

Ø 环境温度：15—40℃

Ø 相对湿度：存放湿度不大于70%

Ø 大气压力：86Kpa—106Kpa

Ø 电网电压：AC220V±10%无严重谐波

Ø 电网频率：50Hz±1Hz

Ø 电源功率：20KW

Ø 供电电网功率因数：＞0.9

Ø 气源要求：≥0.6Mpa

Ø 无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害。

2.3、主要技术指标

设备技术指标要求如下：

1、（阻性/感性）开关测试单元

• 漏极电压测试范围：5V-1500V，5V-100V，步进0.1V，

              100V-1500V，步进1.0V；

• 漏极电流测试范围：1A-300A，分辨率1A；

• 栅极驱动：±30V，分辨率0.1V；

• 最大栅极电流：2A；

• 最大脉冲电流：300A；

• 电源电压（VDD）：5V-100V，步进0.1V，

                  100V-1500V，步进1.0V。

• 脉冲宽度：1us-100us,步进0.1us

• 时间测试精度：1ns；

• 感性负载：0.01mH-160mH程序控制，步进10uH；

• 阻性负载：1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω，程序控制，备用三个电阻，以便使用时选择。

• 开通/关断时间ton/toff：5-10000ns

• 开通/关断延迟td(on)/td(off）：5-10000ns

• 上升/下降时间tr/tf：5-10000ns

最小分辨率1ns

• 开通/关断损耗Eon/Eoff：1-2000mJ

最小分辨率1uJ

2、栅极电荷单元

• 驱动电流：0-2mA，分辨率0.01mA，

2-20mA，分辨率0.1mA；

20mA-200mA，分辨率1mA。

• 栅极电压：±30V，分辨率0.1V；

• 恒流源负载：1-25A，分辨率0.1A，

25-300A，分辨率1A；

• 漏极电压：5-100V，步进0.1V，

100-1500V，步进1.0V。

• 栅极电荷Qg：1nC-100µC

• 漏极电荷Qgs：1nC-100µC

• 源极电荷Qgd：1nC-100µC

• 阈值电荷Qgth：1nC-100µC

 最小分辨率1nC

• 平台电压Vgp：-30-0V,分辨率0.1V

0-30V，分辨率0.1V

3、反向恢复测试单元

• 正向电流：1A-25A，分辨率0.1A，

25A-300A，分辨率1A；

• 反向电压：5v-100V，步进0.1V，

100V-1500V，步进1.0v；

• 反向恢复时间Trr：10ns-10000ns，最小分辨率1ns；

• 反向恢复电荷Qrr：1nC-100µC，最小分辨率1nC；

• 反向恢复电流Irm：1A-300A；

• 反向恢复损耗Erec：1-2000mJ，最小分辨率1uJ；

• 电流下降率dif/dt：50-10kA/us；

• 电流恢复率dir/dt：50-5kA/us

• dv/dt：50-10kV/us。

• Ta，Tb，SF(软度因子)

4、反偏安全工作区RBSOA

• 600A(2倍额定电流下，测试期间关断电压、电流)。

5、短路安全工作区SCSOA

• 一次短路电流Isc：1A-1000A，分辨率1A；

• 脉冲宽度5us-10us，步进0.1us。

6、结电容

• 电容测试扫频范围：0.1MHz～1MHz；

• 漏源极电压：200V，分辨率1V。

• Ciss、Coss、Cres

7、栅极电阻

• 栅极电阻范围： 0.1～50ohm；分辨率0.1Ω；

• 漏极偏置电压： 0～1500V；

• 栅极偏置： ±20V。

8、雪崩耐量

• 最大雪崩击穿电压≥2500V；

• 雪崩电流：200A；

• 感性负载：0.01mH～100mH连续可调，步进10μH；

• 可测试单次雪崩、重复雪崩。