ITO靶材 磁控溅射靶材 电子束镀膜蒸发料
【参数说明】
支持靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!!
【产品介绍】
在化学上,ITO 是Indium Tin Oxides的缩写。
作为纳米铟锡金属氧化物,具有很好的导电性和透明性,可以切断对人体有害的电子 、紫外线及远红外线。因此,铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上,用作透明导电薄膜,同时减少对人体有害的电子 及紫外、红外。
在氧化物导电膜中,以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率高和导电性能好,而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形,其中透光率达90%以上。ITO中其透光率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例来控制,通常SnO2:In2O3=1:9。
ITO膜层之电阻率一般在5*10E-4左右,好可达5*10E-5,已接近金属的电阻率,在实际应用时,常以方块电阻来表征ITO的导电性能,其透过率则可达90%以上,ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例控制,增加氧化铟比例则可提高ITO之透过率,通常SnO2: In2O3=1:9,因为氧化锡之厚度超过200Å时,通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。
如果是电流平行流经ITO膜层的情形,其中d为膜厚,I为电流,L1为在电流方向上膜厚层长度,L2为在垂直于电流方向上的膜层长度,当电流流过方形导电膜时,该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜 之电阻率,对于给定膜层,P和d可视为定值,P/d,当L1=L2时,对于正方形膜层,无论方块大小如何,其电阻均为定值P/d,此即方块电阻定义: R□=P/d,式中R□单位为:欧姆/□(Ω/□),由此可得出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低,膜厚越大。
在STN液晶显示屏中所用ITO玻璃,其R□可达10Ω/□左右,膜厚为100-200nm,而一般低档TN产品的ITO玻璃R□为100-300Ω/□,膜厚为20-30nm。
【关于我们】
服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位 ,质量保证,售后无忧!
产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备
质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。
加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差,连续长时间溅射易发生靶裂情况,绑定背靶后,可提高化合物靶材的导热性能,提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您,选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶!
我公司采用高纯铟作为焊料,铟焊厚度约为0.2mm,高纯无氧铜作为背靶。
注 :高纯铟的熔点约为156℃,靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化!绑定背靶不影响靶材的正常使用!
建议:陶瓷脆性靶材、烧结靶材,高功率下溅射易碎,建议溅射功率不超过3W/cm2。
我公司主营金属靶材、陶瓷靶材、合金靶材,欢迎您的垂询。
- 北京京迈研材料科技有限公司
- 杨杏林 客服部
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- 北京市市辖区永乐店镇柴厂屯村东(联航大厦)1-886号
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