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IGBT击穿电压测试源测单元E系列

图示仪产品普赛斯仪表E100/E200/E300源测单元，欢迎选购！

价加格	¥88888
起订量	≥1 台
可售量	10000 台

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武汉普赛斯仪表有限公司
联系姓名：陶芬
电话号码：18140663476
固定电话：0181-40663476
所在地区：湖北省-武汉市
经营模式：生产厂家
主营产品：源表, 数字源表, 源测单元, 数字万用表
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加工定制 :	否	类型 :	半导体图示仪
品牌 :	普赛斯仪表	型号 :	E100/E200/E300
电压范围 :	0~3000V	尺寸 :	19英寸1U机箱
电流范围 :	0~100mA	适用范围 :	igbt，防雷二极管，压敏电阻

产品详情

Product details

IGBT击穿电压测试源测单元E系列具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在D一象限，输出及测量电压0~3000V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。

设备可应用于IGBT击穿电压测试、IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源、防雷二极管耐压测试、压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

技术指标

电压性能参数：

电压	源		测量
量程	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)
100V	10mV	0.1%±40mV	10mV	0.1%±40mV
600V	60mV	0.1%±100mV	60mV	0.1%±100mV
1000V	100mV	0.1%±300mV	100mV	0.1%±300mV
1500V	150mV	0.1%±400mV	150mV	0.1%±400mV
2200V	220mV	0.1%±700mV	200mV	0.1%±700mV
3000V	300mV	0.1%±900mV	300mV	0.1%±900mV

电流性能参数：

电流	源		测量
量程	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)
1uA	100pA	0.1%±1nA	100pA	0.1%±1nA
10uA	1nA	0.1%±5nA	1nA	0.1%±5nA
100uA	10nA	0.1%±50nA	10nA	0.1%±50nA
1mA	100nA	0.1%±300nA	100nA	0.1%±300nA
10mA	1uA	0.1%±5uA	1uA	0.1%±5uA
100mA	10uA	0.1%±10uA	10uA	0.1%±10uA

Z大输出功率：300W，3000V/100mA（不同型号有差异）；

输出电压建立时间：< 5ms；

输出接口：KHV（三同轴），支持四线测量；

扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；

通信接口：RS232、以太网；

保护：支持急停；

触发：支持trig IN及trig out；

尺寸：19英寸1U机箱；

订货信息

型号	E100	E200	E300
源精度	0.1%	0.1%	0.1%
测量精度	0.1%	0.1%	0.1%
Z大功率	100W	220W	300W
Z小电压量程	100V	100V	100V
Z大电压量程	1000V	2200V	3000V
Z小电流量程	1uA	1uA	1uA
Z大电流量程	100mA	100mA	100mA

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武汉普赛斯仪表是普赛斯电子的全资子公司，致力于半导体器件的测试仪表和测试方案的研发、生产与销售，为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合，帮助用户构建自定义解决方案。为半导体行业提供可扩展的方案、应对设备、设计与低成本的挑战。国内率先推出的基于源表（源测单元）的两大系列产品：台式源表系列、源表单元系列，在光通信CHIP和有源光器件厂家广泛使用。普赛斯S系列源表精度高，测试效率高，可进行超低电流和高电压测试，国产自主研发，替代进口，价格实惠

公司名称武汉普赛斯仪表有限公司

公司类型有限责任公司(自然人投资或控股)

经营模式生产厂家

成立日期2019-11-28

经营地址湖北省武汉市东湖开发区光谷大道308号光谷动力绿色环保产业园8栋2楼

主营行业元件测试仪

主营产品源表,数字源表,源测单元,数字万用表

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