KS0408UA3双 N 沟道功率 MOSFET,电池保护/能源管理应用方案！

特征

• 16V/60A，

RDS (ON) =4.3mΩ(Typ.)@VGS=4.5V

RDS (ON) =4.5mΩ(Typ.)@VGS=3.8V

RDS (ON) =4.8mΩ(Typ.)@VGS=3.1V

RDS (ON) =5.3mΩ(Typ.)@VGS=2.5V

RDS (ON) =9mΩ(Typ.)@VGS=1.8V

• 低 RDS (ON)

• 超高密度电池设计

• ESD 保护 (HBM>2000V)

应用

• 能源管理

• 电池保护

Features

• 16V/60A,

RDS (ON) =4.3mΩ(Typ.)@VGS=4.5V

RDS (ON) =4.5mΩ(Typ.)@VGS=3.8V

RDS (ON) =4.8mΩ(Typ.)@VGS=3.1V

RDS (ON) =5.3mΩ(Typ.)@VGS=2.5V

RDS (ON) =9mΩ(Typ.)@VGS=1.8V

• Low RDS (ON)

• Super High Dense Cell Design

• ESD Protected (HBM>2000V)

Applications

• Power Management

• Battery Protection

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