检测“隐裂”的手段

电致发光 (EL) 是一种简单有效的检测隐藏裂纹的方法。其检测原理如下。

电池的核心部分是半导体PN结，在没有其他激发（如光、电压、温度）的情况下，其内部处于动态平衡状态，电子和空穴的数量相对稳定。

如果施加电压，半导体内部的电场会减弱，N区的电子会被推向P区并与P区的空穴复合（也可以理解为P区会被推到N区与N区的电子复合），以光的形式辅助发射，即电致发光。

当施加正向偏压时，晶体硅电池会发出波长约为 1100nm 的光，在红外波段，这是肉眼不可见的。因此，在进行THE EL测试时，应使用CCD相机捕捉这些光子，经计算机处理后以图像的形式显示出来。

对硅元件施加电压后，激发的电子和空穴越多，发射的光子就越多，测得的 EL 图像就越亮。如果某些区域的EL图像较暗，则说明该区域产生的电子和空穴的数量较少，说明该区域存在缺陷（复合中心）。如果某些区域完全黑暗，则表示没有电子和空穴复合，或者光线被其他障碍物阻挡，并且无法检测到信号。

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