硅片化学清洗：化学清洗是去除原子、离子看不见的污染，方法较多，有溶剂萃取法、酸洗法和等离子法。本发明的双氧水系统清洗方法效果好，环境污染小。一般的方法是用H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性溶液清洗硅片。清洗液强氧化性，将有机物分解去除；用超纯水洗涤后，H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的碱性清洗液的组成比清洗，由于H2O2的氧化作用与NH4OH络合，与多种金属离子形成稳定的可溶性络合物，易溶于水；然后使用H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液的组成比，由于H2O2的氧化和HCL的溶解，以及氯离子的络合，许多金属生成络离子溶解在水中，从而达到清洗的目的。

放射性示踪原子分析和质谱分析结果表明，双氧水体系清洗效果好，所有化学试剂H2O2、NH4OH和HCl都能完全挥发。用H2SO4和H2O2清洗硅在硅表面每平方厘米留下约2×1010个硫原子，用后一种酸性清洗液可以完全去除。用H2O2系统清洗硅片无残留，危害较小，有利于工人的健康和环境保护。硅片清洗用每一步清洗液处理后，必须用超纯水彻底冲洗干净。

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