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锗在室温下是稳定的，但也会生成GeO单层膜，时间长了会逐渐变成GeO2单层膜。而当锗的表面吸附了水蒸气便破坏了氧化膜的钝化性质，而生成厚的氧化物。

锗在较高温度下便氧化，且伴随有失重的现象，原因是生成了GeO，因其有较强的挥发性。 研究者研究了锗表面氧化的过程，先在600℃时用CO还原锗，以排除锗表面的结合氧或吸附氧。再在25~400℃，10kPa的氧压下氧化锗，仅1min即形成了*氧化层。当温度超过250℃很快形成 氧化层。再升高温度，氧化速度显著变慢。在400℃氧化3h，形成厚度为1.75nm的GeO2膜。

锗在不同溶剂中的腐蚀溶解行为不同。n型锗的溶解电位比p型略正，所以在相同溶液中前者的溶解速度较快。锗易溶于加氧化剂的热酸、热碱和H2O2中。难溶于稀硫酸、盐酸和冷碱液。锗在100℃的水中是不溶的，而在室温下饱和氧的水中，溶解速度接近1ug/（cm.h）。

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产品描述

  产品名称：二氧化锗
CAS No.： 1310-53-8 EINECS No.： 215-180-8
  外观：白色粉末
  分子式：GeO2
  生产标准：GB/T 11069-2006
  摩尔质量：104.64g/mol

产品性质：

产品规格：

产品用途：

  二氧化锗主要用作聚合反应的催化剂，金属锗和其他锗化合物的制取原料、制取PET催化剂、聚对苯二 乙二酯树脂时的催化剂以及光谱分析和半导体材料。也可以制造光学玻璃荧光粉，可作为催化剂用于石油提炼时转化、去氢、汽油馏份的调整、彩色胶卷及聚脂纤维生产。

产品包装：
  净重：1公斤/瓶
     内包装：塑料瓶
      外包装：外包标准纸箱，也可根据客户要求包装

产品运输及存储：

  密封保存于阴凉干燥处，防止受潮和氧化。可按普通货物运输，非危险品。

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韶关市金源金属材料有限公司

    从事供应、加工、回收稀有金属、贵金属、高纯材料、光电材料、半导体材料、稀土材料、化合物材料、纳米材料、合金材料、化学试剂、靶材、矿产品、有机材料、冶炼设备的研发、生产与销售及技术咨询、技术转让，货物或技术进出口

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