品牌 : |
DIDOES |
型号 : |
ZXM61P02FTA |
种类 : |
绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型 : |
P沟道 |
导电方式 : |
增强型 |
用途 : |
DC/直流 |
封装外形 : |
CHIP/小型片状 |
材料 : |
GE-P-FET锗P沟道 |
| 品牌 | DIODES(美台) | 型号 | ZXM61P02FTA | 封装 | SOT-23-3 |
| 批号 | 20+ | FET类型 | P-Channe | 漏源电压(Vdss) | 12 V |
| 漏极电流(Id) | 4.3 A | 漏源导通电阻(RDS On) | 31 mOhms | 栅源电压(Vgs) | 4.5 V |
| 栅极电荷(Qg) | 15.8 nC | 反向恢复时间 | - | 最大耗散功率 | 1300(mW) |
| 配置类型 | Single | 工作温度范围 | - 55 C ~ +150 C | 安装类型 | 表面贴装 |
| 应用领域 | 新能源,家用电器,3C数码,汽车电子,测量仪器,智能家居,网络通信,安防设备, |
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