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锗是一种重要的半导体材料，用于制造晶体管及各种电子装置，是 代晶体管材料。锗在红外光学领域的年消费量占所有领域消费量的20-30%，主要作为红外光学系统中的透镜、棱镜、窗口、滤光片等的光学材料。近些年，在红外光学和半导体材料的强劲需求刺激下，我国锗生产技术能力提升迅速，目前国内企业已经能够生产光纤级、红外级、太阳能级锗系列产品。

本发明锗单晶的生长方法与提拉法有相似之处，例如均可观察晶体生长情况、晶体生长过程中均保持提拉状态、坩埚不与晶体接触，避免了寄生成核等。

除此之外，本方法还有如下优点：1、降温时，晶体不被拉出坩埚，应力更小，有利于提高晶体尺寸；2、晶体的温度梯度小，有利于减少晶体应力，提高晶体质量；3、晶体的拉速较慢，机械扰动较小，有利于提高晶体质量；4、晶体的生长界面为凸界面，有利于排杂；5、晶体生长结束后，引晶部分和坩埚内余料中杂质较多，需要回收，其余部位的晶体具有较高的纯度，晶体的利用率高。

本发明锗单晶的生长方法，具有晶体尺寸大、结晶性能良好、无开裂、多晶等缺陷，成品率较高等优点，推广该方法，能产生显著的经济效益。金源诚信为王一手高价昆明回收锗 锗锭锗粉

金源诚信为王一手高价昆明回收锗 锗锭锗粉将100kg原料放入直径300mm，高度320mm的圆柱状石墨坩埚中，置石墨坩埚于单晶炉内，单晶炉内有石墨发热体和碳毡，将单晶炉内抽真空至气压值为0.0001Pa。单晶炉内温场温度梯度为5℃/cm。籽晶、籽晶杆、提拉电机、称重传感器相连，并通过称重传感器控制晶体生长速度，在真空氛围下利用籽晶在一定的温场梯度下经过引晶过程、放肩过程、等径生长过程、收尾过程、降温过程形成锗单晶。引晶过程中，控制晶体拉速为10mm/h；控制晶体生长速度为30g/h；晶体直径为30mm，引晶阶段晶体总重量为原料总重的1%。放肩过程中，维持拉速在0.3mm/h；控制晶体生长速度由30g/h逐步增加到2000g/h；晶体直径放大到与坩埚尺寸相近，但不与坩埚接触；籽晶与肩部的夹角为60°。等径过程中，维持拉速在0.3mm/h；控制晶体生长速度为2000g/h。当晶体重量与原料的量之差小于2kg时，进入收尾阶段，并且手动控制拉速，拉速在100mm/h。降温时拉速为0，降温速率为20℃/h。

金源一手厂家待人以诚昆明回收锗 单晶锗 锗片目前锗单晶的生长方法主要有单晶提拉法、水平布里奇曼法和VGF法三种。其中，单晶提拉法是 常用的锗单晶生长方法，具有长晶过程可视化、成品率高、晶体生长自动化程度高、晶体与坩埚不接触，避免了坩埚寄生成核等缺陷的产生。但同时，提拉法要求坩埚直径在晶体直径的2倍以上。因此，提拉法难以生长具有较大尺寸的锗单晶。水平布里奇曼法具有晶体生长速度快、成本低等优点，但由于晶体为D型，利用率低，难以生长较大尺寸的锗单晶。VGF法的晶体直径与坩埚相同，理论上可以生长较大尺寸的锗单晶。但这种方法坩埚与晶体相接处，容易寄生成核，此外，VGF法生长的晶体多为凹界面，难以保证晶体成品率。将10kg原料放入直径100mm，高度300mm的圆柱状石墨坩埚中，置石墨坩埚于单晶炉内，单晶炉内有石墨发热体和碳毡。将单晶炉内抽真空至气压值为0.0005Pa。单晶炉内温场温度梯度为2℃/cm。籽晶、籽晶杆、提拉电机、称重传感器相连，并通过称重传感器控制晶体生长速度。在真空氛围下利用籽晶在一定的温场梯度下经过引晶过程、放肩过程、等径生长过程、收尾过程、降温过程形成锗单晶。引晶过程中，控制晶体拉速为5mm/h；控制晶体生长速度为10g/h；晶体直径为20mm，引晶阶段晶体总重量为原料总重的0.5%。放肩过程中，维持拉速在0.1mm/h；控制晶体生长速度由10g/h逐步增加到500g/h；晶体直径放大到与坩埚尺寸相近，但不与坩埚接触；籽晶与肩部的夹角为80°。等径过程中，维持拉速在0.1mm/h；控制晶体生长速度为500g/h。当晶体重量与原料的量之差为250g时，进入收尾阶段，并且手动控制拉速，拉速在10mm/h。降温时拉速为0，降温速率为50℃/h。

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