松木ME3587-G（替代）美国万代AO6602，N和P沟道功率MOS管替代方案

ME3587一般说明

ME3587 是 N 沟道和 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 ME3587这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 ME3587这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小的外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗的电池供电电路。

ME3587特征

● RDS(ON) ≦45mΩ@VGS=4.5V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦68mΩ@VGS=2.5V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦120mΩ@VGS=1.8V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦110mΩ@VGS=-4.5V (P-Ch)

● RDS(ON)≦130mΩ@VGS=-2.5V (P-Ch)

● RDS(ON) ≦170mΩ@VGS=-1.8V (P-Ch)

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

● 出色的导通电阻和最大直流电流能力

ME3587应用

● 笔记本电源管理

● 便携设备

● 电池供电系统

● 负载开关

● DSC

● LCD 显示逆变器

松木ME3587-G（替代）新洁能NCE6602，N和P沟道增强型功率MOS管方案松木ME3587-G（替代）新洁能NCE6602，N和P沟道增强型功率MOS管方案

AO6602简述：

AO6602 使用先进的沟槽技术提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。 互补 MOSFET 形成高速功率逆变器，适用于多种应用。

AO6602产品概要：

N 沟道 P 沟道

VDS= 30V -30V

ID= 3.5A (VGS=10V) -2.7A (VGS=-10V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 50mΩ (VGS=10V) < 100mΩ (VGS=-10V)

< 70mΩ (VGS=4.5V) < 170mΩ (VGS=-4.5V)

AO6602封装：

AO6602封装方式采用TSOP6

标签：AO6602规格书，AO6602中文资料，AO6602替代选型，AO6602原理图，AO6602封装

阅读我的更多文章

°松木ME3587-G（替代）新洁能NCE6602，N和P沟道增强型功率MOS管方案

°松木ME2307/ME2307-G（替代）AOS万代AO3407A/AO3407正品P沟道30V

°松木ME2306A/ME2306A-G （替代）新洁能NCE3400A SOT-23 塑封 MOS管