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多晶硅表面微加工

多晶硅被称为多晶硅，它是在 LPCVD 过程中用沉积的。沉积温度范围为 575  °C 至 650 °C。在低于 575 °C 的温度下，硅层是非晶态的。在 650 °C以上，多晶具有柱状结构。晶粒尺寸通常介于 0.03 和 0.3 μm 之间。在 900–1000 °C 下退火几分钟后，会发生结晶和晶粒长大。晶粒尺寸则约为 1 μm。多晶硅可以用与外延硅相同的气体进行原位掺杂。的沉积速率为10至20纳米/分。多晶硅层通常是共形的。在表面微加工中，多晶硅直接用作机械材料。对于微混合器的制造，多晶硅可用于制造通道壁和密封蚀刻的通道结构。由多晶硅制成的器件大多采用传统的表面微加工技术制造。此处使用术语“传统”是因为具有牺牲层的相同制造概念近也已用于聚合物和金属结构。表面微加工过程始于牺牲层的沉积。可以构造牺牲层以生成用于稍后功能结构的锚点。功能层的后续沉积和图案化定义了微结构。去除下面的牺牲层会释放独立的微结构。