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选择性沉积

通过将温度、压力和源气体系统调整到合适的孵育时间条件，可以选择性地将多晶硅沉积在硅上。后者代表晶核形成的时间，它在很大程度上取决于要沉积多晶硅的表面。在传统的 LPCVD 和 RPCVD 反应器中，使用在中稀释的氯基源气体成功实现了选择性多晶硅沉积。氯的存在，特别是 HCl，提高了选择性，因为它大大减少了硅原子的吸附，并防止了非硅表面上的硅成核。其他气体，如(SiH 4 ) 或乙(Si 2 H6 ) 在中稀释也用于多晶硅的选择性沉积，特别是在不允许使用氯基气体的反应器中，例如 UHVCVD 反应器。乙允许较低的工艺温度并导致较高的生长速率后，通过向气体系统添加掺杂气体，可以在硅上选择性地沉积掺杂的多晶硅薄膜。在这种情况下，生长速度取决于杂质表面覆盖率，并且随着掺杂气体流速的增加而急剧下降。