AO3481C一般说明:
沟道功率MOSFET技术30V
•低RDS(ON)
•低栅极电荷
•符合RoHS和无卤素标准
AO3481C特征:
VDS
ID (at VGS=-10V) -4.3A
RDS(ON) (at VGS=-10V) < 45mΩ
RDS(ON) (at VGS=-4.5V) < 65mΩ
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本文由 深圳市泰德兰电子有限公司 网编通过AO3481C英文规格书翻译中文整理分享,由于泰德兰电子长期代理电源ic,快充ic芯片,mos管等芯片,所以对这版块的相关技术知识进行分享,欢迎大家下方留言互动。
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