品牌 : |
普赛斯仪表 |
型号 : |
S100 |
加工定制 : |
否 |
类型 : |
半导体器件测试仪 |
测量范围 : |
300mV-300V/100nA-1A |
测量频率 : |
50Hz |
测量精度 : |
0.1% |
适用范围 : |
分立半导体器件,传感器,钙钛矿,纳米材料 |
重量 : |
5KG |
尺寸 : |
425*255*106mm |
S100型源表之MOSFET&JFET漏电流测试方案、价格、厂家等信息找普赛斯仪表专业人员为您解答一八一四零六六三四七六

S系列源表是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的率先国产化的源表,集电压、电流输入输出及测量等多种功能,最大输出电压达300V,最小测试电流达100pA,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中:半导体IC或元器件,功率器件,传感器,有机材料与纳米材料等特性测试和分析。
5寸800*480触摸显示屏,全图形化操作
内置强大的功能软件,加速用户完成测试,如LIV、PIV
源及测量的准确度为0.1%,分辨率5数位
四象限工作(源和肼),源及测量范围:电流100pA~1A,电压0.3mV~300V
丰富的扫描模式,支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描
支持USB存储,一键导出测试报告
支持多种通讯方式,RS-232、GPIB及以太网
S100型源表技术参数
最大输出功率:30W,4象限源或肼模式;
源限度:电压源:±30V(≤1A量程),±300V(≤100mA量程);
电流源:±1.05A(≤30V量程),±105mA(≤300V量程);
过量程: 105%量程,源和测量;
稳定负载电容:<22nF;
宽带噪声(20MHz):2mV RMS(典型值),<20mV Vp-p(典型值);
线缆保护电压:输出阻抗1KΩ,输出电压偏移<80uV;
最大采样速率:1000 S/s;
触发:支持IO触发输入及输出,触发极性可配置;
输出接口:前后面板香蕉头插座输出,同一时刻只能用前或者后面板接口;
通信口:RS-232、GPIB、以太网;
电源:AC 100~240V 50/60Hz;
工作环境:25±10℃;
尺寸:106mm高 × 255mm宽 × 425mm长;
S系列源表应用
l 分立半导体器件特性测试,电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC、GaN等器件;
l 能量与效率特性测试,LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等
l 传感器特性测试,电阻率、霍尔效应等
l 有机材料特性测试,电子墨水、印刷电子技术等
l 纳米材料特性测试,石墨烯、纳米线等
发送询价单
您对该公司的咨询信息已成功提交,请注意接听供应商电话。
联系人信息
请输入您的称呼
请输入正确的联系方式
请选择咨询问题
请输入正确的图形验证码
商家已收到您的消息,请注意接听供应商的来电~
确保商家能在第一时间与您取得联系
请留下您的联系方式
请输入正确的联系电话
请输入称呼或公司名称
换一张
请输入验证码