镓(Ga)(Gallium)
1,物理性质:
原子量:69.723
熔点:29.78 ℃
沸点:2403 ℃
密度:5.907 g/cm3 (20℃)
莫比硬度:1.5 kg/mm2
超临界温度:1.087K
固态略带兰色,质软,液态银白色。
2,规格:
化学纯度:
高纯镓:Ga-04 纯度99.99%以上,银,铝,钙,铬,铜,铁,汞,铟,镁,锰,镍,铅,锑,锡,锌杂质总含量小于100ppm;
超纯镓:Ga-05 纯度99.999%以上,铬,铜,铁,镁,锰,镍,铅,锑,锡,锌杂质总含量小于10ppm;
超高纯镓:Ga-06 纯度99.9999%以上,铜,铁,镁,锰,镍,铅,锑,锡,锌杂质总含量小于1ppm。
3,物理性状:固体。
4,用途:
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,为GaAs, GaP, GaAsP, GaAlAs, GaAlP高纯合金,晶体管合金,超低温合金,原子反应堆中之热载体以及锗,硅单晶的掺杂剂。
5,包装:聚乙烯瓶封装,塑料薄膜外封。
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