IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

部分日本富士IGBT模块型号如下：1MBI400N-120、1MBI400JN-120、1MBI400JN-140、1MBI400SX-140、1MBI600LP-120、
1MBI600PX-140、1MBI400L-120、1MBI400S-120、1MBI400NN-120、1MBI400NP-120、1MBI600LN-120、1MBI600PX-120
2MBI50N-060、2MBI50L-060、2MBI50F-060、2MBI75N-060、2MBI75F-060、2MBI75L-060、2MBI75J-060、2MBI75NB-060、2MBI100J-060、2MBI100F-060、2MBI100L-060、2MBI100N-060、2MBI100NB-060、2MBI150N-060、2MBI150J-060、2MBI150L-060、2MBI150KB-060、2MBI150NE-120 IGBT、2MBI150ND-060、2MBI150-060、2MBI150LB-060、2MBI150F-060、2MBI150NC-060、2MBI150SD-060、2MBI200J-060、2MBI200K-060、2MBI200F-060、2MBI200L-060、2MBI200N-060、2MBI200TA-060、2MBI200ND-060、2MBI300N-060、2MBI300L-060、2MBI300F-060、2MBI300J-060、
2MBI300K-060、2MBI300NB-060、2MBI300LB-060、2MBI300TC-060、2MBI300NR-060、2MBI300U4N-120-50