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FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc)
驱动电压( Rds On, 小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On( 值) 14 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)( 值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)( 值) 81nC @ 10V
Vgs( 值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)( 值) 1970pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散( 值) 3.8W(Ta),130W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 深圳市亚泰盈科电子有限公司
- 林 业务部
- 18902849330
- 广东省深圳市深南中路3006号佳和大厦A座2101室
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