FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）

驱动电压（ Rds On， 小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（ 值） 1.5 欧姆 @ 2.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（ 值） 4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（ 值） 38nC @ 10V

Vgs（ 值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（ 值） 610pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（ 值） 74W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3