TPH4R008NH 中文资料 TPH4R008NH价格 IC配单 TPH4R008NH参数

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）

驱动电压（ Rds On， 小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（ 值） 4 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（ 值） 4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（ 值） 59nC @ 10V

Vgs（ 值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（ 值） 5300pF @ 40V

FET 功能 -

功率耗散（ 值） 1.6W（Ta），78W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）

封装/外壳 8-PowerVDFN