驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 电源 10V ~ 18V
逻辑电压 - VIL,VIH 1.2V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 4A,4A
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 600V
上升/下降时间(典型值) 15ns,15ns
工作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 14-SOIC





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