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名称: 磷化铟InP单晶片
规格:可以做到2英寸、3英寸,正常晶向为<100>、<111>,特殊晶向也可以加工。
磷化铟(InP)是一种重要的化合物半导体材料,具有电子极 移速度高、耐辐射性
好、导热好的优点。
适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通
信、太阳能电池、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。
InP单晶参数
品种 | 类型 | 浓度(cm-3) | 迁移率(cm2/V.S) | 电阻率(Ω.cm) | 位错密度(cm-2) |
Un-InP | ------ | <3*1016 | >1700 | ---- | <1000 |
S-InP | N | 5*1017 | >1700 | ----- | <1000 |
Zn-InP | P | 0.6*10麤37 8麤38 <6*1018 | >50 | ------ | <1000 |
Fe-InP | N | 107~108 | >1700 | >107 | <1000 |
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