IPD60N10S4L-12 ipd60n10s4l-12集成电路 ipd60n10s4-12场效应管

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 12 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 46µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 49nC @ 10V

Vgs（最大值） ±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3170pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 94W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TO252-3-313

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63