供应 磷化铟InP单晶片、磷化铟衬底、砷化铟衬底、锑化铟衬底 半导体材料厂家 金源供应回收单晶材料

韶关市金源金属材料有限公司专业有色金属、稀有金属、小金属、特色合金、贵金属、等供应商。为解决小量够买金属的难题，特推出在线 交易模式。方便各地买家。

名称:  磷化铟InP单晶片

      规格：可以做到2英寸、3英寸，正常晶向为<100>、<111>，特殊晶向也可以加工。

       磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极 移速度高、耐辐射性

好、导热好的优点。

        适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通

信、太阳能电池、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。

InP单晶参数

         砷化铟（InAs）III-V族化合物半导体材料，闪锌矿型的晶体结构，能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。
        InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。

名称：InAs wafer （砷化铟）单晶片

规格：2英寸、3英寸，正常晶向为<100>、<111>，特殊晶向也可以加工。

InAs wafer 单晶参数

2" 和3" InSb wafer 锑化铟单晶片。

     金源金属公司提供III-V族化合物单晶片衬底：砷化镓衬底、砷化铟衬底、磷化镓衬底、磷化铟衬底、锑化镓衬底、锑化铟衬底、锑化镓衬底。

磷化铟半导体衬底材料具有电子极限漂移速度高、耐辐射性能好、导热好的优点，主要应用于光纤通讯、光电集成电路、军用通讯、红外光学、激光与光子探测器和功率器件等半导体领域。

包装：开盒即用， 100级洁净室真空冲氮包装,25片卡盒/单片币式

顺丰快递送达。

掺杂：掺硫/S

尺寸：2英寸/50.0±0.3mm

厚度：350±25μm

位错密度：＜500/㎝2

晶片单面抛光（如需双面抛光需另外加工）

供应 磷化铟 磷化铟单晶 单晶片 衬底 InP  2-6寸磷化铟半导体材料厂家

  金源金属公司提供III-V族化合物单晶片衬底：砷化镓衬底、砷化铟衬底、磷化镓衬底、磷化铟衬底、锑化镓衬底、锑化铟衬底、锑化镓衬底。供应、回收、加工服务。