FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-323
封装/外壳 SC-70,SOT-323

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