品牌 : |
STARPOWER |
型号 : |
GD200HFY120C2S |
种类 : |
绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型 : |
N沟道 |
导电方式 : |
增强型 |
用途 : |
CHOP/斩波、限幅 |
封装外形 : |
P-DIT/塑料双列直插 |
材料 : |
GE-N-FET锗N沟道 |
IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容
可控硅-快速系列,交期快,货源稳,
经销以下品牌功率半导体器件
1:日本三社SanRex:可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块。
2:德国西门康SEMIKRON:IGBT模块;可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二极管。
3:德国英飞凌Infineon:IGBT模块;PIM模块;可控硅模块。
4:德国艾赛斯IXYS:快速恢复二极管模块;可控硅模块。
5:日本三菱MITSUBISHI:IGBT模块;IPM模块;PIM模块。
6:日本富士FUJI:IGBT模块;IPM模块;三相整流桥模块。
7:美国威士VISHAY:螺栓二极管;螺栓可控硅。
8:日本东芝TOSHIBA:IGBT模块;整流桥模块;GTO门极关断可控硅。
9:IGBT无感吸收电容:美国CDE;加拿大EACO:德国EPCOS。
10:英国西码WESTCODE:平板型可控硅;平板型二极管;螺栓型可控硅、螺栓型二极管。
11:意大利POSEICO:平板型可控硅;平板型二极管。
12:英国达尼克斯DYNEX:平板型可控硅;平板型二极管、GTO门极可关断可控硅。
13:瑞士ABB:平板型可控硅;平板型二极管、GTO门极可关断可控硅。
14:快速熔断器:美国BUSSMANN。
(STARPOWER)斯达半导体IGBT模块:
GD75HFK60C1ST
GD100HFK60C1ST
GD150HFK60C1ST
GD150HFK60C8S
GD200HFK60C8S
GD300HFK60C8S
GD50HFL120C1S
GD75HFL120C1S
GD100HFL120C1S
GD100HFL120C2S
GD150HFL120C2S
GD200HFL120C2S
GD300HFL120C2S
GD400HFT120C2SN
GD225HFL120C6S
GD300HFL120C6S
GD450HFL120C6S
GD75FFL120C6S
GD100FFL120C6S
GD150FFL120C6S
GD15PIK120C5S
GD25PIT120C5S
GD40PIT120C5S
GD50PIT120C6S
GD50PIT120C6S
GD75PIT120C6S
GD50CUL120C1S
GD75CUL120C1S
GD100CUL120C1S
GD150CUL120C2S
GD200CUL120C2S
GD300CUL120C2S
GD400CUL120C2S

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