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厂家供应氧化铟掺氧化锡靶材 (ITO) ITO靶材铜绑定,加工回收,韶关金源金属,专业定制供应,回收,加工。
元素符号 | In | 原子序数 | 49 |
原子量 | 114.818 | 熔点 | 156.60°C |
纯度 | 99.995 | 沸点 | 2702°C |
密度 | 7310kg/m3 | 颜色 | 银灰色 |
合成方法 | 以萃取-电解法为主,冶炼回收方法主要是从铜、铅、锌的冶炼浮渣、熔渣及阳极泥中通过富集加以回收,回收富铟粗铅的铟,一直采用碱煮提铟工艺,存在生产能力小、生产成本高、金属回收率低等缺点。富铟粗铅电解-铅电解液萃铟。 | ||
产品规格 | (110mm)不规则颗粒 | ||
(直径<360mm 厚度>1mm)圆片、圆台、圆棒 | |||
(直径<360mm 厚度>1mm)台阶状(可拼接)、矩形、片状 | |||
旋转靶材、圆环、管材等 | |||
根据图纸或按要求定制,来电咨询 | |||
产品优点 | 质量可靠,价格优惠,真空熔炼,设备提纯,纯度高,杂质少,轧制致密,氧化少,成型可塑,相对致密度高,晶粒均匀等轴,一致性高 | ||
产品用途 | |||
产品附件 | 正式报价单/购销合同/装箱单/材质分析检测单/ | ||
产品包装 | 真空包装/真空中性包装/特殊包装外加固包装 | ||
制作工艺 | 真空磁悬浮熔炼,浇铸成锭,热机械处理和精密机械加工 | ||
适用仪器 | 各类型号磁控溅射设备 | ||
交货期 | 单片材料1周内发货,批量材料710个工作日内发货 | ||
产品运输 | 国内快递承运(顺丰,申通,EMS,德邦等) |
ITO (氧化铟锡)
ITO 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡,ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率和透光率。
ITO粉末和ITO靶材是三氧化二铟和二氧化锡的混合物,是ITO薄膜制备的重要原料,ITO薄膜由于对可见光透明和导电性良好的特性,广泛应用于液晶显示玻璃、幕墙玻璃和飞机、汽车上的防雾挡风玻璃等。 ITO靶材主要质量指标 化学成分In2O3 SnO2=9010(wt%) 纯度≥99.99% 相对密度~99% 密度均匀性偏差≤±0.3% 相结构单一立方In2O3相 失氧率<=3% 单片 尺寸250mm x 200mm ,厚度可按用户要求任意。
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在化学上,ITO 是Indium Tin Oxides的缩写。
作为纳米铟锡金属氧化物,具有很好的导电性和透明性,可以切断对人体有害的电子 、紫外线及远红外线。因此,铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上,用作透明导电薄膜,同时减少对人体有害的电子 及紫外、红外。
在氧化物导电膜中,以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率 高和导电性能 ,而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形,其中透光率达90%以上。ITO中其透光率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例来控制,通常SnO2:In2O3=1:9。
目前ITO膜层之电阻率一般在5*10E-4左右, 可达5*10E-5,已接近金属的电阻率,在实际应用时,常以方块电阻来表征ITO的导电性能,其透过率则可达90%以上,ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例控制,增加氧化铟比例则可提高ITO之透过率,通常SnO2: In2O3=1:9,因为氧化锡之厚度超过200Å时,通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。
如果是电流平行流经ITO膜层的情形,其中d为膜厚,I为电流,L1为在电流方向上膜厚层长度,L2为在垂直于电流方向上的膜层长度,当电流流过方形导电膜时,该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜 之电阻率,对于给定膜层,P和d可视为定值,P/d,当L1=L2时,对于正方形膜层,无论方块大小如何,其电阻均为定值P/d,此即方块电阻定义: R□=P/d,式中R□单位为:欧姆/□(Ω/□),由此可得出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低,膜厚越大。
目前在 STN液晶显示屏中所用ITO玻璃,其R□可达10Ω/□左右,膜厚为100-200nm,而一般低档TN产品的ITO玻璃R□为100-300Ω/□,膜厚为20-30nm。
主要用途
在进行LCD走线设计时,由ITO阻计算方式,可知影响ITO阻值有如下因素:
1、ITO玻璃之方块电阻
要确保走线电阻小,应酬让ITO玻璃方块电阻小,因为R□=P/d,则必须选P小,d适当大些的材料。
2、L1/L2
L1/L2即走线在平行电流方向与垂直电流方向上的长度比,在R□一定时,要保证走线电阻值小,就要让L1/L2小,当L1一定时,只有增大L2,也说法是在设计时,走线应尽可能加宽;而当L2一定时,L1就要小,即走线宽度一定时,细线应尽可能短。
3、ITO阻值影响
在LCD显示屏设计当中,不仅要考虑走线布对ITO阻值的影响,还要考虑生产工艺对ITO阻值的影响,以便选择适当方块电阻的ITO玻璃,以便设计到制作的全面控制,生产高对比的LCD产品,这时高占空比及COG产品无为重要,如ITO膜厚的均匀性,因为ITO的靶材及工艺的不稳定,会使同样长度与宽度的ITO阻值发生变化,如目标值为10Ω时,其R□范围在8-12Ω之间,所以在生产中要使用ITO膜厚均匀的导电玻璃,以减少电阻的变化,其次为ITO玻璃的耐高温时性,酸碱性,因为通常LCD生产工艺中要使用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡,而一般在300°C *30min的环境中,会使R□增大2-3倍,而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min(60°C)下也会增到1.1倍左右,由此可知,在生产工艺中不宜采用高温生产及酸碱的长时清洗,若无法避免,则应尽量在低温下进行并尽量缩短动作时间。
4、由于在液晶显示器中,ITO方块电阻等效于电路图中的分压电阻,其阻值大小直接影响电路两端电压的大小,即方块电阻越大,LCD值电压越大。有数据表明,ITO之方块电阻由100Ω/□降至60Ω/□。(Cell Gap为6um)左右,Vth值会降低0.03V左右。
多用于触控面板、触摸屏、冷光片等。
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