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ITO （氧化铟锡） 

ITO 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指标：电阻率和透光率。

在化学上，ITO 是Indium Tin Oxides的缩写。

作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。因此，铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上，用作透明导电薄膜，同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。

在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形，其中透光率达90%以上。ITO中其透光率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例来控制，通常SnO2:In2O3=1:9。

目前ITO膜层之电阻率一般在5*10E-4左右，最好可达5*10E-5，已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以方块电阻来表征ITO的导电性能，其透过率则可达90%以上，ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例控制，增加氧化铟比例则可提高ITO之透过率，通常SnO2: In2O3=1:9，因为氧化锡之厚度超过200Å时，通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。

如果是电流平行流经ITO膜层的情形，其中d为膜厚，I为电流，L1为在电流方向上膜厚层长度，L2为在垂直于电流方向上的膜层长度，当电流流过方形导电膜时，该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜 之电阻率，对于给定膜层，P和d可视为定值，P/d，当L1=L2时，对于正方形膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值P/d，此即方块电阻定义： R□=P/d，式中R□单位为：欧姆/□（Ω/□），由此可得出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低，膜厚越大。

目前在高档STN液晶显示屏中所用ITO玻璃，其R□可达10Ω/□左右，膜厚为100-200nm，而一般低档TN产品的ITO玻璃R□为100-300Ω/□，膜厚为20-30nm。

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