驱动配置    低压侧
通道类型    独立式
驱动器数    2
栅极类型    IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源    4.5V ~ 30V
逻辑电压 - VIL，VIH    0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）    4A，4A
输入类型    非反相
上升/下降时间（典型值）    9ns，8ns
工作温度    -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型    表面贴装
封装/外壳    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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