品名:钽靶材
用途:主要应用于半导体镀膜和光学镀膜。
纯度:99.95%~99.99%。
规格:方靶材,厚度x宽度x长度=5~25x≤800x≤2000(mm);
圆靶材,厚度x直径=5~25x≤Φ800(mm)。
其它性能:
金属元素含量表(GDMS) 单位(ppm)
元素 | 含量 | 元素 | 含量 | 元素 | 含量 |
Al | ≤0.2 | Ga | ≤1.0 | Pb | ≤1.0 |
Ag | ≤1.0 | Ge | ≤1.0 | S | ≤0.2 |
Au | ≤1.0 | Hf | ≤1.0 | Si | ≤0.2 |
B | ≤0.1 | K | ≤0.05 | Sn | ≤0.1 |
Bi | ≤1.0 | Li | ≤0.1 | Th | ≤0.005 |
Ca | ≤0.1 | Mg | ≤0.1 | Ti | ≤1.0 |
Cd | ≤1.0 | Mn | ≤0.1 | V | ≤0.2 |
Cl | ≤1.0 | Mo | ≤5.0 | W | ≤70 |
Co | ≤0.05 | Na | ≤0.1 | Zn | ≤1.0 |
Cr | ≤0.25 | Nb | ≤75 | Zr | ≤0.2 |
Cu | ≤0.75 | Ni | ≤0.25 | Y | ≤1.0 |
Fe | ≤0.4 | P | ≤1.0 | U | 0.005 |
Ta | 余量 |
气体元素含量表(LECO) 单位(ppm)
元素 | 含量 | 元素 | 含量 | 元素 | 含量 |
C | ≤40 | N | ≤25 | H | ≤2 |
O | ≤100 |
晶粒度:再结晶程度≥98%,平均晶粒度<100μm,晶粒分布均匀,无分层现象。可根据用户特殊要求,满足晶粒度>100μm或者<50μm要求。
平面度≤0.2mm。
表面粗糙度<1.6μm。
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