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FQP17P10 100V P沟道 MOSFET出售原装实物拍摄深圳现货供应

三极管产品原装FQP17P10FQP17P10 100V P沟道MOSFET【出售原装】实物拍摄深圳现货供应，欢迎选购！

价加格	¥5.50	¥4.99	¥4.50
起订量	1-9个	10-49个	≥50个

封装形式

TO-220

¥5.50/个

50000个可售

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深圳市铭顺信电子有限公司
第 8 年
联系姓名：林冰莹
电话号码：18988776985
固定电话：0755-82579959
所在地区：广东省-深圳市
经营模式：生产厂家
主营产品：电子元器件配单, 集成电路, 电容电阻, 二三极管, 继电器, 晶体管, 可控硅模块
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品牌 :	原装	型号 :	FQP17P10
应用范围 :	功率	导电方式 :	增强型
沟道类型 :	P沟道	种类 :	结型(JFET)
封装 :	TO-220

产品详情

Product details

标准包装	50
FET 型	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	100V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	16.5A
Rds（最大）@ ID，VGS	190 mOhm @ 8.25A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	39nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1100pF @ 25V
功率 - 最大	100W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220
包装材料	Tube
包装	3TO-220AB
渠道类型	P
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	100 V
最大连续漏极电流	16.5 A
RDS -于	190@10V mOhm
最大门源电压	±30 V
典型导通延迟时间	17 ns
典型上升时间	200 ns
典型关闭延迟时间	45 ns
典型下降时间	100 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
最大门源电压	±30
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	175
标准包装名称	TO-220
最低工作温度	-55
封装	Rail
最大漏源电阻	190@10V
最大漏源电压	100
每个芯片的元件数	1
供应商封装形式	TO-220AB
最大功率耗散	10000
最大连续漏极电流	16.5
引脚数	3
铅形状	Through Hole
FET特点	Standard
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	16.5A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	100V
供应商设备封装	TO-220
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	190 mOhm @ 8.25A, 10V
FET型	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	100W
封装/外壳	TO-220-3
输入电容（Ciss ） @ VDS	1100pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	39nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
配置	Single
外形尺寸	10.1 x 4.7 x 9.4mm
身高	9.4mm
长度	10.1mm
最大漏源电阻	0.19 Ω
最高工作温度	+175 °C
最大功率耗散	10 W
最低工作温度	-55 °C
包装类型	TO-220, TO-220AB
典型栅极电荷@ VGS	30 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	850 pF V @ 25
宽度	4.7mm
工厂包装数量	50
晶体管极性	P-Channel
连续漏极电流	16.5 A
零件号别名	FQP17P10_NL
下降时间	100 ns
产品种类	MOSFET
单位重量	0.063493 oz
正向跨导 - 闵	9.9 S
RoHS	RoHS Compliant
源极击穿电压	+/- 30 V
系列	FQP17P10
RDS（ON）	190 mOhms
安装风格	Through Hole
功率耗散	10 W
上升时间	200 ns
漏源击穿电压	- 100 V
栅源电压（最大值）	�30 V
漏源导通电阻	0.19 ohm
工作温度范围	-55C to 175C
极性	P
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏源导通电压	100 V
弧度硬化	No
Continuous Drain Current Id	:16.5A
Drain Source Voltage Vds	:100V
On Resistance Rds(on)	:190mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:-10V
Threshold Voltage Vgs	:-4V
功耗	:100W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:175°C
Transistor Case Style	:TO-220
No. of Pins	:3
MSL	:-
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
Alternate Case Style	:SOT-78B
Avalanche Single Pulse Energy Eas	:580mJ
Current Id Max	:-16.5A
Current Temperature	:25°C
Device Marking	:FQP17P10
Full Power Rating Temperature	:25°C
引线间距	:2.54mm
No. of Transistors	:1
工作温度范围	:-55°C to +175°C
引脚配置	:a
Pin Format	:1G,(2+Tab)D, 3S
Power Dissipation Ptot Max	:100W
Pulse Current Idm	:66A
Voltage Vds	:100V
Voltage Vds Typ	:-100V
Voltage Vgs Max	:-4V
Voltage Vgs Rds on Measurement	:-10V

FQP17P10 100V P沟道MOSFET【出售原装】实物拍摄深圳现货供应示例图4

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