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产品详情
Product details
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 12A |
Rds( )@ ID,VGS | 350 mOhm @ 6A, 10V |
VGS(TH)( )@ Id | 5V @ 50µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 39nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1000pF @ 25V |
功率 - | 160W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220 |
通道模式 | Enhancement |
漏源电压 | 500 V |
连续漏极电流 | 12 A |
RDS -于 | 350@10V mOhm |
门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 20 ns |
典型上升时间 | 10 ns |
工作温度 | -65 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
门源电压 | ±30 |
包装宽度 | 4.6(Max) |
PCB | 3 |
功率耗散 | 160000 |
漏源电压 | 500 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
漏源电阻 | 350@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
低工作温度 | -65 |
供应商封装形式 | TO-220 |
标准包装名称 | TO-220 |
高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 10.4(Max) |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 9.15(Max) |
连续漏极电流 | 12 |
封装 | Tube |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
P( TOT ) | 160W |
匹配代码 | STP12NM50 |
R( THJC ) | 0.78K/W |
LogicLevel | NO |
单位包 | 50 |
标准的提前期 | 10 weeks |
小起订量 | 50 |
Q(克) | 39nC |
无铅Defin | RoHS-conform |
汽车 | NO |
我(D ) | 12A |
V( DS ) | 500V |
技术 | MDmesh |
的RDS(on ) at10V | 0.35Ohm |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 12A (Tc) |
的Vgs(th ) ( )@ Id | 5V @ 50µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
供应商设备封装 | TO-220AB |
开态Rds( )@ Id ,V GS | 350 mOhm @ 6A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - | 160W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1000pF @ 25V |
其他名称 | 497-2666-5 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 39nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Single |
外形尺寸 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
身高 | 9.15mm |
长度 | 10.4mm |
漏源电阻 | 0.35 Ω |
高工作温度 | +150 °C |
功率耗散 | 160 W |
低工作温度 | -65 °C |
包装类型 | TO-220 |
典型栅极电荷@ VGS | 28 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 1000 pF V @ 25 |
宽度 | 4.6mm |
工厂包装数量 | 50 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 30 V |
连续漏极电流 | 12 A |
正向跨导 - 闵 | 5.5 S |
单位重量 | 0.079014 oz |
RDS(ON) | 350 mOhms |
功率耗散 | 160 W |
安装风格 | Through Hole |
上升时间 | 10 ns |
漏源击穿电压 | 500 V |
RoHS | RoHS Compliant |
漏极电流( 值) | 12 A |
频率( ) | Not Required MHz |
栅源电压( 值) | �30 V |
输出功率( ) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.35 ohm |
工作温度范围 | -65C to 150C |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 500 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
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