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STP12NM50 N沟道550V场效应管 出售原装 实物拍摄 深圳现货供应

场效应管产品原装STP12NM50n沟道550v场效应管,欢迎选购!

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起订量
10-999
≥1000
可售量
5000
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品牌 :
原装
型号 :
STP12NM50
种类 :
结型(JFET)
沟道类型 :
N沟道
导电方式 :
耗尽型
产品详情
Product details
标准包装50
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C12A
Rds( )@ ID,VGS350 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)( )@ Id5V @ 50µA
栅极电荷(Qg)@ VGS39nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的1000pF @ 25V
功率 - 160W
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
包装材料Tube
包装3TO-220
通道模式Enhancement
漏源电压500 V
连续漏极电流12 A
RDS -于350@10V mOhm
门源电压±30 V
典型导通延迟时间20 ns
典型上升时间10 ns
工作温度-65 to 150 °C
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
门源电压±30
包装宽度4.6(Max)
PCB3
功率耗散160000
漏源电压500
欧盟RoHS指令Compliant
漏源电阻350@10V
每个芯片的元件数1
低工作温度-65
供应商封装形式TO-220
标准包装名称TO-220
高工作温度150
渠道类型N
包装长度10.4(Max)
引脚数3
包装高度9.15(Max)
连续漏极电流12
封装Tube
标签Tab
铅形状Through Hole
P( TOT )160W
匹配代码STP12NM50
R( THJC )0.78K/W
LogicLevelNO
单位包50
标准的提前期10 weeks
小起订量50
Q(克)39nC
无铅DefinRoHS-conform
汽车NO
我(D )12A
V( DS )500V
技术MDmesh
的RDS(on ) at10V0.35Ohm
FET特点Standard
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C12A (Tc)
的Vgs(th ) ( )@ Id5V @ 50µA
漏极至源极电压(Vdss)500V
供应商设备封装TO-220AB
开态Rds( )@ Id ,V GS350 mOhm @ 6A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 160W
封装/外壳TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS1000pF @ 25V
其他名称497-2666-5
闸电荷(Qg ) @ VGS39nC @ 10V
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
类别Power MOSFET
配置Single
外形尺寸10.4 x 4.6 x 9.15mm
身高9.15mm
长度10.4mm
漏源电阻0.35 Ω
高工作温度+150 °C
功率耗散160 W
低工作温度-65 °C
包装类型TO-220
典型栅极电荷@ VGS28 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS1000 pF V @ 25
宽度4.6mm
工厂包装数量50
产品种类MOSFET
晶体管极性N-Channel
源极击穿电压+/- 30 V
连续漏极电流12 A
正向跨导 - 闵5.5 S
单位重量0.079014 oz
RDS(ON)350 mOhms
功率耗散160 W
安装风格Through Hole
上升时间10 ns
漏源击穿电压500 V
RoHSRoHS Compliant
漏极电流( 值)12 A
频率( )Not Required MHz
栅源电压( 值)�30 V
输出功率( )Not Required W
噪声系数Not Required dB
漏源导通电阻0.35 ohm
工作温度范围-65C to 150C
极性N
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏极效率Not Required %
漏源导通电压500 V
功率增益Not Required dB
弧度硬化No



STP12NM50 N沟道550V场效应管【出售原装】实物拍摄深圳现货供应示例图4
 

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