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品牌 : |
IR |
型号 : |
IRG4BC30UDPBF |
种类 : |
结型(JFET) |
导电方式 : |
耗尽型 |
用途 : |
A/宽频带放大 |
封装外形 : |
CER-DIP/陶瓷直插 |
材料 : |
GaAS-FET |
产品详情
Product details
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| IGBT 型 | - |
| 电压 - 集电极发射极击穿( ) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 12A |
| - 集电极电流(Ic)( ) | 23A |
| 功率 - | 100W |
| Input 型 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 配置 | Single |
| 集电极发射极电压 | 600 V |
| 连续集电极电流 | 23 A |
| 栅极发射极电压 | ±20 V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 栅极发射极电压 | ±20 |
| 连续集电极电流 | 23 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 渠道类型 | N |
| 集电极发射极电压 | 600 |
| 功率耗散 | 100000 |
| 低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 栅极电荷 | 50nC |
| 电流 - 集电极( Ic)( ) | 23A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 开关能量 | 540µJ |
| 时间Td(开/关) @ 25°C | 40ns/91ns |
| Vce(开) ( 值) Vge,Ic时 | 2.1V @ 15V, 12A |
| 电压 - 集电极发射极击穿( ) | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 反向恢复时间(trr ) | 42ns |
| 封装 | Tube |
| 功率 - | 100W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 测试条件 | 480V, 12A, 23 Ohm, 15V |
| 其他名称 | *IRG4BC30UDPBF |
| 电流 - 集电极脉冲( ICM ) | 92A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 外形尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm |
| 身高 | 8.77mm |
| 长度 | 10.54mm |
| 高工作温度 | +150 °C |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 宽度 | 4.69mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2.1 V |
| 连续集电极电流在25 C | 23 A |
| 集电极 - 发射极 电压VCEO | 600 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 100 W |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流( DC)( 值) | 23 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 600 V |
| 工作温度( ) | 150C |
| 工作温度( 小值) | -55C |
| 工作温度分类 | Military |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | �20 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流(DC ) | 23 A |
| 晶体管类型 | :IGBT |
| DC Collector Current | :23A |
| Collector Emitter Voltage Vces | :2.5V |
| 功耗 | :100W |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :600V |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-220 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Ic Continuous a Max | :23A |
| Current Temperature | :25°C |
| Device Marking | :IRG4BC30UDPbF |
| Fall Time Max | :80ns |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Power Dissipation Max | :100W |
| Pulsed Current Icm | :92A |
| 上升时间 | :21ns |
| 端接类型 | :Through Hole |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Voltage Vces | :600V |
| Weight (kg) | 0.002 |
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