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产品详情
Product details
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
| 电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 73A |
| Rds( )@ ID,VGS | 14 mOhm @ 44A, 10V |
| VGS(TH)( )@ Id | 4V @ 100µA |
| 栅极电荷(Qg)@ VGS | 140nC @ 10V |
| 输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3550pF @ 50V |
| 功率 - | 190W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源电压 | 100 V |
| 连续漏极电流 | 73 A |
| RDS -于 | 14@10V mOhm |
| 门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 18 ns |
| 典型上升时间 | 87 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 3 ns |
| 典型下降时间 | 70 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 73A (Tc) |
| 的Vgs(th ) ( )@ Id | 4V @ 100µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds( )@ Id ,V GS | 14 mOhm @ 44A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 190W |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 3550pF @ 50V |
| 其他名称 | *IRFB4610PBF |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 140nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm |
| 身高 | 8.77mm |
| 长度 | 10.54mm |
| 漏源电阻 | 0.014 Ω |
| 高工作温度 | +175 °C |
| 功率耗散 | 190 W |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 90 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 3550 pF V @ 50 |
| 宽度 | 4.69mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 73 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 190 W |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 90 nC |
| 漏极电流( 值) | 73 A |
| 频率( ) | Not Required MHz |
| 栅源电压( 值) | �20 V |
| 输出功率( ) | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.014 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
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