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直插件原装正品晶体三极管现货供应 IRFZ10

三极管产品IRIRFZ10晶体三极管，欢迎选购！

价加格	¥3	¥2.80	¥2.50
起订量	50-99PCS	100-299PCS	≥300PCS

封装形式

TO-220

¥3.00/PCS

500PCS可售

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深圳市铭顺信电子有限公司
第 8 年
联系姓名：林冰莹
电话号码：18988776985
固定电话：0755-82579959
所在地区：广东省-深圳市
经营模式：生产厂家
主营产品：电子元器件配单, 集成电路, 电容电阻, 二三极管, 继电器, 晶体管, 可控硅模块
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品牌 :	IR	型号 :	IRFZ10
应用范围 :	功率	材料 :	硅(Si)
封装形式 :	TO-220

产品详情

Product details

标准包装	1,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	10A
Rds（最大）@ ID，VGS	200 mOhm @ 6A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	11nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	300pF @ 25V
功率 - 最大	43W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
包装材料	Tube;;其他的名称；
包装	3TO-220AB
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	60 V
最大连续漏极电流	10 A
RDS -于	200@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	10 ns
典型上升时间	50 ns
典型关闭延迟时间	13 ns
典型下降时间	19 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Bulk
最大门源电压	±20
包装宽度	4.7(Max)
PCB	3
最大功率耗散	43000
最大漏源电压	60
欧盟RoHS指令	Not Compliant
最大漏源电阻	200@10V
每个芯片的元件数	1
最低工作温度	-55
供应商封装形式	TO-220AB
标准包装名称	TO-220
最高工作温度	175
渠道类型	N
包装长度	10.41(Max)
引脚数	3
包装高度	9.01(Max)
最大连续漏极电流	10
标签	Tab
铅形状	Through Hole
单位包	0
最小起订量	1
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	10A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 250µA
封装/外壳	TO-220-3
供应商设备封装	TO-220AB
其他名称	*IRFZ10
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	200 mOhm @ 6A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	43W
漏极至源极电压（Vdss）	60V
输入电容（Ciss ） @ VDS	300pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	11nC @ 10V
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant
工厂包装数量	1000
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
配置	Single
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	10 A
安装风格	Through Hole
RDS（ON）	200 mOhms
功率耗散	43 W
最低工作温度	- 55 C
上升时间	50 ns
最高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	60 V
RoHS	No RoHS Version Available
下降时间	19 ns