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产品详情
Product details
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流(Ic)(最大) | 10A |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
| Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 400mA, 8A |
| 电流 - 集电极截止(最大) | 10µA |
| 直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 40 @ 4A, 1V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 频率转换 | 50MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 集电极最大直流电流 | 10 A |
| 最小直流电流增益 | 60@2A@1V|40@4A@1V |
| 最大工作频率 | 50(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.4A@8A V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 10 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 50(Typ) |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极( Ic)(最大) | 10A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 50MHz |
| 下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 400mA, 8A |
| 电流 - 集电极截止(最大) | 10µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 40 @ 4A, 1V |
| 其他名称 | D44H11GOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Bipolar Power |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 9.28 x 10.28 x 4.82mm |
| 身高 | 9.28mm |
| 长度 | 10.28mm |
| 最大的基射极饱和电压 | 1.5 V |
| 最大基地发射极电压 | 5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 宽度 | 4.82mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 60 |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 10 A |
| 集电极电流( DC)(最大值) | 10 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 80 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率(最大) | 50 MHz |
| 功率耗散 | 2 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益(最小值) | 60 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 50 MHz |
| 集电极电流(DC ) | 10 A |
| 直流电流增益 | 60 |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :80V |
| Transition Frequency ft | :50MHz |
| 功耗 | :70W |
| DC Collector Current | :10A |
| DC Current Gain hFE | :60 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-220 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Application Code | :PGP |
| Collector Emitter Voltage Vces | :1V |
| 连续集电极电流Ic最大 | :10A |
| Current Ic Continuous a Max | :8A |
| Current Ic hFE | :2A |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Gain Bandwidth ft Typ | :50MHz |
| Hfe Min | :60 |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Power Dissipation Ptot Max | :70W |
| Voltage Vcbo | :10VDC |
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公司名称深圳市铭顺信电子有限公司
公司类型有限责任公司
经营模式生产厂家
成立日期2008-03-31
经营地址广东省深圳市华强北街道华航社区深南中路3006号佳和华强大厦A座7层705
主营行业集成电路(IC)
主营产品电子元器件配单,集成电路,电容电阻,二三极管,继电器,晶体管,可控硅模块
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