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品牌 : |
原装 |
型号 : |
IRF730S |
种类 : |
绝缘栅(MOSFET) |
导电方式 : |
增强型 |
用途 : |
MW/微波 |
封装外形 : |
LLCC/无引线陶瓷片载 |
材料 : |
GE-P-FET锗P沟道 |
产品详情
Product details
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 400V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 5.5A |
Rds( )@ ID,VGS | 1 Ohm @ 3.3A, 10V |
VGS(TH)( )@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 38nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 700pF @ 25V |
功率 - | 3.1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
包装材料 | Tube |
门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | D2PAK |
低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
漏源电阻 | 1000@10V |
漏源电压 | 400 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-263AB |
功率耗散 | 3100 |
连续漏极电流 | 5.5 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
单位包 | 0 |
小起订量 | 1 |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 5.5A (Tc) |
的Vgs(th ) ( )@ Id | 4V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
其他名称 | *IRF730S |
开态Rds( )@ Id ,V GS | 1 Ohm @ 3.3A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - | 3.1W |
标准包装 | 1,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 400V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 700pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 38nC @ 10V |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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