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产品详情
Product details
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
| 电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 57A |
| Rds(最大)@ ID,VGS | 23 mOhm @ 28A, 10V |
| VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷(Qg)@ VGS | 130nC @ 10V |
| 输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3130pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 57 A |
| RDS -于 | 23@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型上升时间 | 58 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 典型下降时间 | 47 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 23@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最大功率耗散 | 200000 |
| 最大连续漏极电流 | 57 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 57A (Tc) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 23 mOhm @ 28A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 3130pF @ 25V |
| 其他名称 | *IRF3710PBF |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 130nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm |
| 身高 | 8.77mm |
| 长度 | 10.54mm |
| 最大漏源电阻 | 0.023 Ω |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 200 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 典型栅极电荷@ VGS | 130 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 3130 pF V @ 25 |
| 宽度 | 4.69mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 57 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 200 W |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 86.7 nC |
| 漏极电流(最大值) | 57 A |
| 频率(最大) | Not Required MHz |
| 栅源电压(最大值) | �20 V |
| 输出功率(最大) | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.023 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :46A |
| Drain Source Voltage Vds | :100V |
| On Resistance Rds(on) | :28mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :150W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-220AB |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :57A |
| Current Temperature | :25°C |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Junction to Case Thermal Resistance A | :0.75°C/W |
| 引线间距 | :2.54mm |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| 引脚配置 | :a |
| Pin Format | :1 g |
| Pulse Current Idm | :180A |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Voltage Vds Typ | :100V |
| Voltage Vgs Max | :4V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
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公司名称深圳市铭顺信电子有限公司
公司类型有限责任公司
经营模式生产厂家
成立日期2008-03-31
经营地址广东省深圳市华强北街道华航社区深南中路3006号佳和华强大厦A座7层705
主营行业集成电路(IC)
主营产品电子元器件配单,集成电路,电容电阻,二三极管,继电器,晶体管,可控硅模块
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