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产品详情
Product details
| 标准包装 | 11 |
| 格式 - 记忆 | RAM |
| Memory 型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小 | 4M (512K x 8) |
| 速度 | 70ns |
| 接口 | Parallel (Byte-wide) |
| - 电源电压 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 操作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 包/盒 | 32-DIP Module (0.600, 15.24mm) |
| 供应商器件封装 | 32-EDIP |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 32EDIP |
| 类型 | NVSRAM |
| 总线类型 | Parallel |
| 密度 | 4 Mb |
| 组织 | 512Kx8 |
| 数据总线宽度 | 8 Bit |
| 工作电源电压 | 5 V |
| 工作温度 | -40 to 85 °C |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 封装 | Tube |
| 格式 - 存储器 | RAM |
| 供应商设备封装 | 32-EDIP |
| 内存类型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 存储容量 | 4M (512K x 8) |
| 电压 - 电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 封装/外壳 | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| 接口 | Parallel |
| 速度 | 70ns |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 其他名称 | DS1250Y70IND |
| 封装/外壳 | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| 系列 | DS1250Y |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 电源电压 - 最大 | 5.5 V |
| 接口类型 | Parallel |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 电源电压 - 最小 | 4.5 V |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 访问时间 | 70 ns |
| 工作电流 | 85 mA |

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