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IRFP260NPBF IRFP260N 出售原装 MOSFET 场效应管深圳现货供应

场效应管产品原装IRFP260NPBF原装mosfet场效应管，欢迎选购！

价加格	¥5.60	¥5.20
起订量	10-99个	≥100个
可售量	5000 个

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深圳市铭顺信电子有限公司
第 8 年
联系姓名：林冰莹
电话号码：18988776985
固定电话：0755-82579959
所在地区：广东省-深圳市
经营模式：生产厂家
主营产品：电子元器件配单, 集成电路, 电容电阻, 二三极管, 继电器, 晶体管, 可控硅模块
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品牌 :	原装	型号 :	IRFP260NPBF
种类 :	绝缘栅(MOSFET)	沟道类型 :	N沟道
导电方式 :	耗尽型

产品详情

Product details

标准包装	25
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	200V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	50A
Rds（）@ ID，VGS	40 mOhm @ 28A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	234nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	4057pF @ 25V
功率 -	300W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-247-3
供应商器件封装	TO-247AC
包装材料	Bulk
包装	3TO-247AC
通道模式	Enhancement
漏源电压	200 V
连续漏极电流	50 A
RDS -于	40@10V mOhm
门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	17 ns
典型上升时间	60 ns
典型关闭延迟时间	55 ns
典型下降时间	48 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
FET特点	Standard
封装	Bulk
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	50A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	4V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	200V
供应商设备封装	TO-247AC
开态Rds（）@ Id ，V GS	40 mOhm @ 28A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	300W
输入电容（Ciss ） @ VDS	4057pF @ 25V
其他名称	*IRFP260NPBF
闸电荷（Qg ） @ VGS	234nC @ 10V
封装/外壳	TO-247-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
渠道类型	N
配置	Single
外形尺寸	15.9 x 5.3 x 20.3mm
身高	20.3mm
长度	15.9mm
漏源电阻	0.04 Ω
高工作温度	+175 °C
功率耗散	300 W
低工作温度	-55 °C
每个芯片的元件数	1
包装类型	TO-247AC
引脚数	3
典型栅极电荷@ VGS	234 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	4057 pF V @ 25
宽度	5.3mm
晶体管极性	:N Channel
Continuous Drain Current Id	:50A
Drain Source Voltage Vds	:200V
On Resistance Rds(on)	:40mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:4V
功耗	:300W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:175°C
Transistor Case Style	:TO-247AC
No. of Pins	:3
MSL	:-
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max	:50A
Junction to Case Thermal Resistance A	:0.5°C/W
工作温度范围	:-55°C to +175°C
Pulse Current Idm	:200A
端接类型	:Through Hole
Voltage Vds Typ	:200V
Voltage Vgs Max	:4V
Voltage Vgs Rds on Measurement	:10V
Voltage Vgs th Max	:4V

IRFP260NPBF IRFP260N【出售原装】MOSFET 场效应管深圳现货供应示例图4

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