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产品详情
Product details
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 650V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.9V @ 500µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 60nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3TO-263 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| RDS -于 | 380@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| P（ TOT ） | 125W |
| 匹配代码 | SPB11N60C3 |
| R（ THJC ） | 1K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| Q（克） | 60nC |
| LLRDS （上） | n.s.Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | n.s.V |
| 我（D ） | 11A |
| V（ DS ） | 600V |
| 技术 | CoolMOS C3 |
| 的RDS（on ） at10V | 0.38Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.9V @ 500µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1200pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 60nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SPB11N60C3INDKR |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 外形尺寸 | 10.31 x 9.45 x 4.57mm |
| 身高 | 4.57mm |
| 长度 | 10.31mm |
| 最大漏源电阻 | 0.38 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 125 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | PG-TO-263 |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 45 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1200 pF V @ 25 |
| 宽度 | 9.45mm |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 11 A |
| 封装/外壳 | TO-263 |
| 零件号别名 | SP000013519 SPB11N60C3ATMA1 |
| 下降时间 | 5 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商品名 | CoolMOS |
| 配置 | Single |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | SPB11N60 |
| RDS（ON） | 380 mOhms |
| 功率耗散 | 125 W |
| 上升时间 | 5 ns |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| Continuous Drain Current Id | :11A |
| Drain Source Voltage Vds | :650V |
| On Resistance Rds(on) | :0.34ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| 功耗 | :125W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-263 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
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