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STF31N65M5 出售原装 TO-220F场效应管深圳现货供应

场效应管产品原装STF31N65M5原装to-220f场效应管，欢迎选购！

价加格	¥6.99
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深圳市铭顺信电子有限公司
第 6 年
联系姓名：林冰莹
电话号码：18988776985
固定电话：0755-82579959
所在地区：广东省-深圳市
经营模式：生产厂家
主营产品：电子元器件配单, 集成电路, 电容电阻, 二三极管, 继电器, 晶体管, 可控硅模块
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品牌 :	原装	型号 :	STF31N65M5
种类 :	绝缘栅(MOSFET)	沟道类型 :	N沟道
导电方式 :	耗尽型

产品详情

Product details

标准包装	50
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	650V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	22A
Rds（）@ ID，VGS	148 mOhm @ 11A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	45nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	816pF @ 100V
功率 -	30W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装	TO-220FP
包装材料	Tube
动态目录	N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16424?mpart=STF31N65M5&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；
单位包	50
小起订量	1000
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	22A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	5V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	650V
供应商设备封装	TO-220FP
开态Rds（）@ Id ，V GS	148 mOhm @ 11A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	30W
标准包装	50
输入电容（Ciss ） @ VDS	816pF @ 100V
其他名称	497-13101-5
闸电荷（Qg ） @ VGS	45nC @ 10V
封装/外壳	TO-220-3 Full Pack
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
安装风格	Through Hole
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	13.9 A
RDS（ON）	148 mOhms
功率耗散	30 W
封装/外壳	TO-220FP
漏源击穿电压	650 V
RoHS	RoHS Compliant
栅源电压（值）	?25 V
安装	Through Hole
工作温度范围	-55C to 150C
包装类型	TO-220FP
引脚数	3 +Tab
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
通道模式	Enhancement
漏源导通电压	650 V
弧度硬化	No