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现货供应 IRFB0APBF FB0A TO-220 600V/6.2A N 沟道场效应出售原装IRFBC40APBF

场效应管产品原装IRFBC40APBFan沟道场效应，欢迎选购！

价加格	¥3.50	¥2.90
起订量	10-99PCS	≥100PCS
可售量	50000 PCS

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深圳市铭顺信电子有限公司
第 8 年
联系姓名：林冰莹
电话号码：18988776985
固定电话：0755-82579959
所在地区：广东省-深圳市
经营模式：生产厂家
主营产品：电子元器件配单, 集成电路, 电容电阻, 二三极管, 继电器, 晶体管, 可控硅模块
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品牌 :	原装	型号 :	IRFBC40APBF
种类 :	绝缘栅(MOSFET)	沟道类型 :	N沟道
导电方式 :	增强型	类型 :	其他IC
封装 :	TO-220

产品详情

Product details

标准包装	1,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	600V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	6.2A
Rds（最大）@ ID，VGS	1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	42nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1036pF @ 25V
功率 - 最大	125W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
包装材料	Tube
包装	3TO-220AB
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	600 V
最大连续漏极电流	6.2 A
RDS -于	1200@10V mOhm
最大门源电压	±30 V
典型导通延迟时间	13 ns
典型上升时间	23 ns
典型关闭延迟时间	31 ns
典型下降时间	18 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
最大门源电压	±30
包装宽度	4.65(Max)
PCB	3
最大功率耗散	125000
最大漏源电压	600
欧盟RoHS指令	Compliant
最大漏源电阻	1200@10V
每个芯片的元件数	1
最低工作温度	-55
供应商封装形式	TO-220AB
标准包装名称	TO-220
最高工作温度	150
渠道类型	N
包装长度	10.51(Max)
引脚数	3
包装高度	9.01(Max)
最大连续漏极电流	6.2
标签	Tab
铅形状	Through Hole
P（ TOT ）	125W
匹配代码	IRFBC40APBF
R（ THJC ）	1.0K/W
LogicLevel	NO
单位包	50
标准的提前期	14 weeks
最小起订量	1000
Q（克）	42nC
无铅Defin	RoHS-conform
汽车	NO
我（D ）	6.2A
V（ DS ）	600V
技术	HighV.
的RDS（on ） at10V	1.2Ohm
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	6.2A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 250µA
封装/外壳	TO-220-3
供应商设备封装	TO-220AB
其他名称	*IRFBC40APBF
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	125W
漏极至源极电压（Vdss）	600V
输入电容（Ciss ） @ VDS	1036pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	42nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
配置	Single
外形尺寸	10.41 x 4.7 x 9.01mm
身高	9.01mm
长度	10.41mm
最大漏源电阻	1.2 Ω
最高工作温度	+150 °C
最大功率耗散	125 W
最低工作温度	-55 °C
包装类型	TO-220AB
典型栅极电荷@ VGS	42 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	1036 pF V @ 25
宽度	4.7mm
工厂包装数量	1000
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 30 V
连续漏极电流	6.2 A
安装风格	Through Hole
RDS（ON）	1.2 Ohms
功率耗散	125 W
上升时间	23 ns
漏源击穿电压	600 V
RoHS	RoHS Compliant By Exemption
下降时间	18 ns
漏极电流（最大值）	6.2 A
频率（最大）	Not Required MHz
栅源电压（最大值）	�30 V
输出功率（最大）	Not Required W
噪声系数	Not Required dB
漏源导通电阻	1.2 ohm
工作温度范围	-55C to 150C
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏极效率	Not Required %
漏源导通电压	600 V
功率增益	Not Required dB
弧度硬化	No
删除	Compliant
Continuous Drain Current Id	:6.2A
Drain Source Voltage Vds	:600V
On Resistance Rds(on)	:1.2ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:4V
功耗	:125W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:TO-220AB
No. of Pins	:3
MSL	:-
Current Id Max	:6.2A
Current Temperature	:25°C
Full Power Rating Temperature	:25°C
Junction to Case Thermal Resistance A	:1.3°C/W
No. of Transistors	:1
工作温度范围	:-55°C to +150°C
Pulse Current Idm	:25A
端接类型	:Through Hole
Voltage Vds Typ	:600V
Voltage Vgs Max	:30V
Voltage Vgs Rds on Measurement	:10V
Voltage Vgs th Max	:4V

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源自：深圳市铭顺信电子有限公司

官网：www.msxic.cn

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IRFB0APBF FB0A TO-220 600V/6.2A N沟道场效应【出售原装】示例图4

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