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IRFPF40 功率MOSFET 出售原装 实物拍摄 深圳现货供应

场效应管产品原装IRFPF40绝缘栅,欢迎选购!

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品牌 :
原装
型号 :
IRFPF40
种类 :
绝缘栅(MOSFET)
沟道类型 :
N沟道
导电方式 :
耗尽型
产品详情
Product details
标准包装500
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)900V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C4.7A
Rds( )@ ID,VGS2.5 Ohm @ 2.8A, 10V
VGS(TH)( )@ Id4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS120nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的1600pF @ 25V
功率 - 150W
安装类型Through Hole
包/盒TO-247-3
供应商器件封装TO-247-3
包装材料Tube
包装3TO-247AC
通道模式Enhancement
漏源电压900 V
连续漏极电流4.7 A
RDS -于2500@10V mOhm
门源电压±20 V
典型导通延迟时间15 ns
典型上升时间36 ns
典型关闭延迟时间110 ns
典型下降时间32 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
门源电压±20
包装宽度5.31(Max)
PCB3
功率耗散150000
漏源电压900
欧盟RoHS指令Compliant
漏源电阻2500@10V
每个芯片的元件数1
低工作温度-55
供应商封装形式TO-247AC
标准包装名称TO-247
高工作温度150
渠道类型N
包装长度15.87(Max)
引脚数3
包装高度20.7(Max)
连续漏极电流4.7
标签Tab
铅形状Through Hole
单位包25
小起订量500
FET特点Standard
封装Tube
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C4.7A (Tc)
的Vgs(th ) ( )@ Id4V @ 250µA
供应商设备封装TO-247-3
其他名称*IRFPF40PBF
开态Rds( )@ Id ,V GS2.5 Ohm @ 2.8A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 150W
漏极至源极电压(Vdss)900V
输入电容(Ciss ) @ VDS1600pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS120nC @ 10V
封装/外壳TO-247-3
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
类别Power MOSFET
配置Single
外形尺寸15.87 x 5.31 x 20.7mm
身高20.7mm
长度15.87mm
漏源电阻2.5 Ω
高工作温度+150 °C
功率耗散150 W
低工作温度-55 °C
包装类型TO-247AC
典型栅极电荷@ VGS120 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS1600 pF V @ 25
宽度5.31mm
工厂包装数量500
产品种类MOSFET
晶体管极性N-Channel
源极击穿电压+/- 20 V
连续漏极电流4.7 A
正向跨导 - 闵2.5 S
安装风格Through Hole
RDS(ON)2.5 Ohms
功率耗散150 W
封装/外壳TO-247AC
栅极电荷Qg120 nC
上升时间36 ns
漏源击穿电压900 V
RoHSRoHS Compliant By Exemption
下降时间32 ns
漏极电流( 值)4.7 A
频率( )Not Required MHz
栅源电压( 值)�20 V
输出功率( )Not Required W
噪声系数Not Required dB
漏源导通电阻2.5 ohm
工作温度范围-55C to 150C
极性N
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏极效率Not Required %
漏源导通电压900 V
功率增益Not Required dB
弧度硬化No
删除Compliant
Continuous Drain Current Id:4.7A
Drain Source Voltage Vds:900V
On Resistance Rds(on):2.5ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Threshold Voltage Vgs:4V
No. of Pins:3

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